5纳米真的突破了手机芯片已开始流片但良率稍低

  企业已在国内一家芯片代工公司进行流片，验证这家芯片代工企业的5纳米工艺，这在某种程度上预示着国产5纳米工艺真的成为现实，依靠现有的设备有望实现5纳米工艺的量产。

  业界人士还指出从流片情况去看，大规模生产已不是问题，只是良率稍低，大约为35%左右，不过当年台积电量产5纳米的时候，首次流片的良率也只有40%左右，这在某种程度上预示着国产芯片代工厂能达到如此良率已是相当成功了。

  毕竟国产芯片代工企业是依靠现有的DUV光刻机生产5纳米，而台积电早在量产7纳米的时候就已引入了先进的EUV光刻机，国产芯片代工企业依靠现有的DUV光刻机将5纳米工艺的良率达到如此水平已是相当了不得了。

  据悉该国产芯片代工企业以DUV光刻机量产5纳米，在于引入了多重曝光技术，同时还采用了自主研发的图形处理算法，特别是自主研发的图形处理算法有效提升了用DUV光刻机生产5纳米的良率，而台积电的资深技术的人表示用DUV光刻机生产5纳米可能会引起良率过低，国产芯片代工企业能解决良率问题能说是巨大的技术突破。

  5纳米工艺实现量产，对于中国芯片来说具有很重要的意义，全球实现了3纳米工艺量产的仅有三星和台积电，中国的芯片代工公司实现5纳米工艺，就与他们仅相差一代。

  格芯、联电等都已宣布停止研发7纳米及以下工艺，国产芯片代工公司实现5纳米工艺量产，代表国产芯片代工企业已确立第二阵营的市场地位。

  普遍认为，14纳米及以上工艺能够完全满足中国七成的芯片需求，而达到7纳米就能满足国内九成以上的芯片需求，如果再达到5纳米，那么手机芯片、PC芯片等都能以国产芯片制造工艺生产，中国芯片将逐步提升芯片自给率。

  先进工艺目前主要使用在于手机芯片、AI芯片、PC芯片等等，特别是当下竞争非常激烈的AI芯片，美国本来意图与台积电联合，以先进的AI芯片技术和芯片制造工艺继续保持在AI芯片市场的一马当先的优势，如今国产的AI大模型deepseek横空出世，国产5纳米工艺量产，国产AI芯片也将摆脱对美国芯片的依赖。

  最后就是打脸台积电，台积电跟随美国，5纳米及以下工艺都不为中国芯片代工，如今中国芯片制造工艺取得突破，台积电以先进工艺阻止中国AI芯片的发展已经落空，这让台积电和美国都颇为难堪。

  事实证明了中国拥有大量的技术人才，依靠国内诸多人才的努力，即使是芯片这种先进的技术也能攻克，美国试图通过阻止对中国销售EUV光刻机的方式阻止中国发展先进的技术的图谋已就破灭，而中国芯片的前景慢慢的变好，必将走出一条独特的道路，不再受美国掣肘。